第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石，目前已实现商业化应用的主要为碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)两类，具体用途✅如下：
氮化镓(GaN)是一种宽禁带化合物半导体材料半导体材料的分类，其禁带宽度为3.4eV，与第一代、第二代半导体材料㊣相比，它具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。
氮化镓器件在5G通信、新能源汽车、消费电子等领域具有广泛的应用。在5G通信领域，氮化镓功率放大器(PA)能够显著提高信号传输效率和系统性能;在新能源汽车领域，氮化镓充电器和逆变器能够提高充电速度和驱动效率;在消费电子领域，氮化镓LED具有高效、节能、环保等优点，已广泛应用于照明、显示等领域led外延片作用。
尽管碳化硅被更多地作为衬底材料(相较于氮化镓)，国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等;从事氮化镓外延片的国内厂商主要有、、海陆重工、晶湛半导✅体、江苏能华、英诺赛科等;从事氮化镓器件制造的厂商主要有、、、、等。
2022年，国内12英寸Si基GaN HEMT外延✅技术获得突破，苏州纳维、中镓半导体持续开展GaN衬底研发和产✅业化，8英寸Si基GaN产品实现量产，国产GaN射频产品加快向民用市场渗透。
2022年，GaN产能增加31%。2022年，国内GaN外延产能达到100.2万片/年(折合4英寸)，相较于2021年增加40.7%。初步统计2023年产能在125万片/年左右;芯片/器件2022年产㊣能达到76万片/年，相较于✅2021年增加31%，初步统计2023年产能达82万片/年。
未来，随着新材料、新工艺的不断涌现和技术的不断升级迭代，氮化镓行业将实现更高水平的技术创新，应用场景将进一步拓展。
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